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香港开奖结果南亚科预计DRAM价格将持续上涨
更新时间:2021-07-25
 

  芯片制造商南亚科表示,DRAM合约价格在2021年第二季度大幅上涨,预计第三季度将继续上涨。

  digitimes报道指出,南亚科表示,DRAM价格将在9月份上涨,这将提振公司第三季度的毛利率。

  据悉,2021年第二季度南亚科的毛利率为42.3%,环比增长13.2%,该季度净利润环比增长127.9% 至61.6 亿元新台币,每股收益达到2元新台币,创近10季度新高。

  南亚科的DRAM平均售价在第二季度环比增长30%,有利的产品组合贡献了该公司的营收。

  展望第三季度,南亚科称对个人电脑、消费电子和服务器的需求将稳定增长,而对5G智能手机的需求将回升。

  此外,南亚还披露了在其正在建设的新12英寸晶圆厂导入EUV设备和设施的计划。该公司预计其第四代10nm制程将纳入EUV光刻技术,相关研发将在未来一到两年内启动。

  韩国首尔,2021年7月12日SK海力士(或“公司”,)宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) *LPDDR4 移动端DRAM产品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR” 为电子工程设计发展联合协会(Joint Electron Device Engineering Council,简称JEDEC)规定的DRAM规格标准名称,DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。自从10纳米级DRAM产品开始,半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名,此次SK海力士量产

  SK 海力士在其官网宣布,公司的第四代 10 纳米(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移动端 DRAM(动态随机存储器)产品已经在今年 7 月初开始量产。这是 SK 海力士首次采用 EUV 技术进行 DRAM 产品的量产。SK 海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用 1a 纳米级技术的移动端 DRAM。记者了解到,Strategy Analytics 机构最新的研究报告显示,2021 年第一季度,全球智能手机存储芯片市场总销售额达到 114 亿美元,同比增长 21%。其中,三星以以 49% 的市场份额排名第一,SK 海力士排名第二,美光位列第三。

  内存厂商的新战斗正在悄悄打响,现在SK海力士官方给出消息称,开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。按照官方的说法,公司的第四代10nm(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移动端 DRAM(动态随机存储器)产品已经在今年7月初开始量产。SK海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a纳米级技术的移动端 DRAM。在这之前,三星和美光也都表示,将启用EUV光刻机闪存内存芯片之后,不过美光时间上要更晚一些,其要在2024年生产新的EUV内存芯片。去年SK海力士宣布斥资90亿美元(约合600亿元)收购Intel闪存部门,合并之后有望成为仅次于三星的第二大闪存巨头,六大原厂将减少为五家。

  据台媒联合报报道,记忆体分销商透露,三星、SK海力士及美光三大记忆体厂,上季DRAM(动态随机存取记忆体)库存已降至十季以来低点,全球DRAM龙头三星仍主导本季合约价持续涨价,在终端应用备货需求仍然强劲下,本季DRAM合约价估计涨幅可达百分之七至九。南亚科总经理李培瑛接受专访时也证实,三大记忆体厂DRAM库存偏低,且预期南亚科本季DRAM合约价仍会涨价。近期DRAM三大原厂与代工厂密集协商本季DRAM合约价,三星仍主导涨价,只是因大陆手机销售变数增加,冲击行动记忆体销售;绘图记忆体也因加密货币暴跌,使DRAM市场多了杂音,但整体市场如笔电、平板、云端伺服器、网通,和电竞市场等,需求仍强劲。DRAM 现货价涨风再起,获利成长可期

  近日,武汉新芯集成电路制造有限公司(简称“武汉新芯”)——一家领先的集成电路研发与制造企业,与西安紫光国芯半导体有限公司(简称“西安紫光国芯”)开展专业领域纵深合作,其自主开发的3DLink™技术赋能西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM) 平台,加速行业技术创新实现重大突破:异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM)技术达到目前世界领先水平,相关技术论文已被IEDM 2020、CICC 2021成功录取,在IMW 2021也做了专题报告。武汉新芯基于全新的三维集成技术平台(3DLink™),实现了多款可定制化开发的工艺解决方案进入量产。西安紫光国芯通过代工合作的方式使用武汉新芯晶圆堆叠技术3DLink™设计SeDRAM

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